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Artigo Científico | Filmes Ferroelétricos | Espanhol | 10/02/2008
Autores: Aguilar-Frutis, M., Alvarez-Fregoso, O., Burillo, G., Chávez-Ramírez, J., Falcony, C., Flores-Morales, C., López-Romero, S.
Palavras-chave: dielectric materials, electrical properties and interfaces., estructuras mos, field effect transistor (fet), materiales dieléctricos, mos structures, propiedades eléctricas e interfases, transistor de efecto de campo (fet)
Resumo: Se estudiaron las características eléctricas de películas delgadas de óxido de aluminio preparadas por la técnica de rocío pirolítico ultrasónico. Las películas delgadas se depositaron a partir de una solución de acetilacetonato de aluminio en N,N-dimetilformamida sobre substratos monocristalinos de GaAs (100) tipo-p. La temperatura de depósito fue de 300 a 600 ºC. Las propiedades eléctricas de las películas en función de la temperatura de substrato se determinaron por medidas de capacitancia y corriente contra voltaje mediante la incorporación de las películas en estructuras tipo MOS (metal-óxido-semiconductor). La densidad de estados de interfaz resultó del orden de 1012 1/eV-cm2 y el dispositivo MOS soportó campos eléctricos mayores a 5MV/cm, sin mostrar rompimiento dieléctrico. El índice de refracción se determinó por elipsometría a 633nm, con un valor máximo del orden de 1.64.
Abstract: Electrical characteristics of thin films of aluminum oxide prepared by spray pyrolysis were studied. The films were prepared from solution onto single crystal GaAs (100) substrates at temperatures from 300°C to 600°C. The electrical characteristics of these films as a function of the substrate temperature were determined from the capacitance and current versus voltage measurements of metal-oxide-semiconductor (MOS) structures incorporating them. The interface states density was of the order of 1012 1/eV-cm2 and the films can stand electric fields higher than 5MV/cm, without observing destructive dielectric breakdown. The refractive index at 633 nm near to 1.64 was measured by ellipsometry.
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