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Artigo Científico | Filmes Finos Fotovoltáicos | Português | 30/09/2001
Autores: A.L. Pinto, C.L.Ferreira, L.R.Cruz, M.S. Souza, R.G. Dhere
Palavras-chave: cdte, ebsd, filmes finos, sem, thin films
Resumo: Muitas propriedades de um material são afetadas fortemente pelas orientações de cada um dos seus grãos, i.e., a microtextura. A determinação da microtextura pode ser feita em um microscópio eletrônico de varredura (MEV) a partir da análise dos padrões de difração de elétrons retroespalhados (EBSD) gerados pela amostra. No caso de filmes finos, a análise de microtextura também pode fornecer informações importantes sobre suas propriedades elétricas, mecânicas e óticas. Neste trabalho, utilizou-se um sistema de EBSD em um MEV para determinar a microtextura em filmes finos de telureto de cádmio. A textura dos grãos individuais, as relações de orientação entre grãos e mapas de contornos especiais do tipo “coincident site lattice” (CSL) foram obtidos. Os resultados mostraram que os filmes de CdTe possuem forte textura na direção (111) e uma grande quantidade de contornos de grão de alto ângulo. Os contornos do tipo CSL representam somente 10% do total e o tamanho de grão foi da ordem de 2,1 micra.
Abstract: Many properties of a material are strongly affected by the individual grain orientations, i.e. its microtexture. Microtexture determination can be performed in a scanning electron microscope (SEM) by analyzing the electron back-scattering diffraction (EBSD) patterns generated by the specimen. In case of thin films, microtexture analysis can also provide significant information about their electrical, mechanical, and optical properties. In this work, an EBSD system in a SEM was used to determine microtexture in a cadmium telluride thin film. The texture of individual grains, the misorientation between grains, and coincident site lattice (CSL) boundaries maps were obtained. The results showed that CdTe films have strong (111) texture and grain size 2.1 micron, roughly. The grain boundaries are basically high-angle boundaries, with 10% of them being CSL boundaries.
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